- ArtikelnummerBSM180D12P2C101
- MarkeROHM Semiconductor
- Lebenszyklusstatus Active
- RoHS RoHS Compliant
- BeschreibungMOSFET 2N-CH 1200V 180A MODULE
- KategorieTransistoren - Fets, Mosfets - Arrays
Auf Lager: 9
Kann sofort versenden
Preisgestaltung:
- 1$439.36
Technische Details
- Serie:-
- Paket:Bulk
- Teilestatus:Active
- Fußtyp:2 N-Channel (Half Bridge)
- Fet-Funktion:Silicon Carbide (SiC)
- Drain-Source-Spannung (vdss):1200V (1.2kV)
- Strom - Dauerstrom (id) @ 25°c:204A (Tc)
- rds on (max) @ id, vgs:-
- vgs (th) (max) @ id:4V @ 35.2mA
- Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:-
- Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:23000pF @ 10V
- Leistung max:1130W
- Betriebstemperatur:-40°C ~ 150°C (TJ)
- Befestigungsart:-
- Paket / Koffer:Module
- Gerätepaket des Lieferanten:Module
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