- ArtikelnummerBSM180C12P3C202
- MarkeROHM Semiconductor
- Lebenszyklusstatus Active
- RoHS RoHS Compliant
- BeschreibungSICFET N-CH 1200V 180A MODULE
- KategorieTransistoren - Fets, Mosfets - Single
Auf Lager: 2
Kann sofort versenden
Preisgestaltung:
- 1$492
Technische Details
- Serie:-
- Paket:Bulk
- Teilestatus:Active
- Fußtyp:N-Channel
- Technologie:SiCFET (Silicon Carbide)
- Drain-Source-Spannung (vdss):1200 V
- Strom - Dauerstrom (id) @ 25°c:180A (Tc)
- Antriebsspannung (max rds an, min rds an):-
- rds on (max) @ id, vgs:-
- vgs (th) (max) @ id:5.6V @ 50mA
- Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:-
- vgs (max):+22V, -4V
- Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:9000 pF @ 10 V
- Fet-Funktion:-
- Verlustleistung (max):880W (Tc)
- Betriebstemperatur:-40°C ~ 150°C (TJ)
- Befestigungsart:Chassis Mount
- Gerätepaket des Lieferanten:Module
- Paket / Koffer:Module
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