Technische Details

• Serie:-
• Paket:Tray
• Teilestatus:Active
• Fußtyp:N-Channel
• Technologie:SiCFET (Silicon Carbide)
• Drain-Source-Spannung (vdss):1200 V
• Strom - Dauerstrom (id) @ 25°c:204A (Tc)
• Antriebsspannung (max rds an, min rds an):-
• rds on (max) @ id, vgs:-
• vgs (th) (max) @ id:4V @ 35.2mA

• Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:-
• vgs (max):+22V, -6V
• Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:20000 pF @ 10 V
• Fet-Funktion:-
• Verlustleistung (max):1360W (Tc)
• Betriebstemperatur:175°C (TJ)
• Befestigungsart:Chassis Mount
• Gerätepaket des Lieferanten:Module
• Paket / Koffer:Module