Technische Details

• Serie:-
• Paket:Tray
• Teilestatus:Not For New Designs
• igbt-Typ:-
• Aufbau:Half Bridge
• Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):1200 V
• Strom - Kollektor (ic) (max):150 A
• Leistung max:800 W
• vce(on) (max) @ vge, ic:3V @ 15V, 100A

• Strom - Kollektorabschaltung (max):2 mA
• Eingangskapazität (Cies) @ vce:6.5 nF @ 25 V
• Eingang:Standard
• ntc-Thermistor:No
• Betriebstemperatur:150°C (TJ)
• Befestigungsart:Chassis Mount
• Paket / Koffer:Module
• Gerätepaket des Lieferanten:Module