- ArtikelnummerBSG0810NDIATMA1
- MarkeIR (Infineon Technologies)
- Lebenszyklusstatus Active
- RoHS RoHS Compliant
- BeschreibungMOSFET 2N-CH 25V 19A/39A 8TISON
- KategorieTransistoren - Fets, Mosfets - Arrays
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Preisgestaltung:
- 1$2.66
- 5.000$1.17409
Technische Details
- Serie:OptiMOS™
- Paket:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
- Teilestatus:Active
- Fußtyp:2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
- Fet-Funktion:Logic Level Gate, 4.5V Drive
- Drain-Source-Spannung (vdss):25V
- Strom - Dauerstrom (id) @ 25°c:19A, 39A
- rds on (max) @ id, vgs:3mOhm @ 20A, 10V
- vgs (th) (max) @ id:2V @ 250µA
- Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:8.4nC @ 4.5V
- Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:1040pF @ 12V
- Leistung max:2.5W
- Betriebstemperatur:-55°C ~ 155°C (TJ)
- Befestigungsart:Surface Mount
- Paket / Koffer:8-PowerTDFN
- Gerätepaket des Lieferanten:PG-TISON-8
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