- ArtikelnummerBSC196N10NSGATMA1
- MarkeIR (Infineon Technologies)
- Lebenszyklusstatus Active
- RoHS RoHS Compliant
- BeschreibungMOSFET N-CH 100V 8.5A/45A TDSON
- KategorieTransistoren - Fets, Mosfets - Single
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Preisgestaltung:
- 1$1.1
- 5.000$0.49995
- 10.000$0.48115
Technische Details
- Serie:OptiMOS™
- Paket:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
- Teilestatus:Active
- Fußtyp:N-Channel
- Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
- Drain-Source-Spannung (vdss):100 V
- Strom - Dauerstrom (id) @ 25°c:8.5A (Ta), 45A (Tc)
- Antriebsspannung (max rds an, min rds an):10V
- rds on (max) @ id, vgs:19.6mOhm @ 45A, 10V
- vgs (th) (max) @ id:4V @ 42µA
- Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:34 nC @ 10 V
- vgs (max):±20V
- Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:2300 pF @ 50 V
- Fet-Funktion:-
- Verlustleistung (max):78W (Tc)
- Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
- Befestigungsart:Surface Mount
- Gerätepaket des Lieferanten:PG-TDSON-8-1
- Paket / Koffer:8-PowerTDFN
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