- ArtikelnummerBSC057N08NS3GATMA1
- MarkeIR (Infineon Technologies)
- Lebenszyklusstatus Active
- RoHS RoHS Compliant
- BeschreibungMOSFET N-CH 80V 16A/100A TDSON
- KategorieTransistoren - Fets, Mosfets - Single
Auf Lager: 31.938
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Preisgestaltung:
- 1$1.8
- 5.000$1.15805
- 10.000$1.1366
Technische Details
- Serie:OptiMOS™
- Paket:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
- Teilestatus:Active
- Fußtyp:N-Channel
- Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
- Drain-Source-Spannung (vdss):80 V
- Strom - Dauerstrom (id) @ 25°c:16A (Ta), 100A (Tc)
- Antriebsspannung (max rds an, min rds an):6V, 10V
- rds on (max) @ id, vgs:5.7mOhm @ 50A, 10V
- vgs (th) (max) @ id:3.5V @ 73µA
- Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:56 nC @ 10 V
- vgs (max):±20V
- Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:3900 pF @ 40 V
- Fet-Funktion:-
- Verlustleistung (max):2.5W (Ta), 114W (Tc)
- Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
- Befestigungsart:Surface Mount
- Gerätepaket des Lieferanten:PG-TDSON-8-5
- Paket / Koffer:8-PowerTDFN
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