- ArtikelnummerBSB165N15NZ3GXUMA1
- MarkeIR (Infineon Technologies)
- Lebenszyklusstatus Active
- RoHS RoHS Compliant
- BeschreibungMOSFET N-CH 150V 9A/45A 2WDSON
- KategorieTransistoren - Fets, Mosfets - Single
Auf Lager: 2.744
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Preisgestaltung:
- 1$3.69
- 5.000$1.78194
Technische Details
- Serie:OptiMOS™
- Paket:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
- Teilestatus:Active
- Fußtyp:N-Channel
- Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
- Drain-Source-Spannung (vdss):150 V
- Strom - Dauerstrom (id) @ 25°c:9A (Ta), 45A (Tc)
- Antriebsspannung (max rds an, min rds an):8V, 10V
- rds on (max) @ id, vgs:16.5mOhm @ 30A, 10V
- vgs (th) (max) @ id:4V @ 110µA
- Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:35 nC @ 10 V
- vgs (max):±20V
- Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:2800 pF @ 75 V
- Fet-Funktion:-
- Verlustleistung (max):2.8W (Ta), 78W (Tc)
- Betriebstemperatur:-40°C ~ 150°C (TJ)
- Befestigungsart:Surface Mount
- Gerätepaket des Lieferanten:MG-WDSON-2, CanPAK M™
- Paket / Koffer:3-WDSON
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