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Technische Details

  • Serie:-
  • Paket:Bulk
  • Teilestatus:Obsolete
  • Transistortyp:NPN
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):25V
  • Frequenz - Übergang:1.1GHz
  • Rauschzahl (db typ @ f):-
  • dazugewinnen:-

 

  • Leistung max:350mW
  • Gleichstromverstärkung (hfe) (min) @ ic, vce:38 @ 7mA, 10V
  • Strom - Kollektor (ic) (max):50mA
  • Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • Befestigungsart:Through Hole
  • Paket / Koffer:TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
  • Gerätepaket des Lieferanten:TO-92-3

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