Technische Details

• Serie:Automotive, AEC-Q101, HEXFET®
• Paket:Bulk
• Teilestatus:Active
• Fußtyp:N-Channel
• Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
• Drain-Source-Spannung (vdss):40 V
• Strom - Dauerstrom (id) @ 25°c:95A (Tc)
• Antriebsspannung (max rds an, min rds an):-
• rds on (max) @ id, vgs:3.3mOhm @ 50A, 10V
• vgs (th) (max) @ id:3.9V @ 100µA

• Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:98 nC @ 10 V
• vgs (max):±20V
• Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:3174 pF @ 25 V
• Fet-Funktion:-
• Verlustleistung (max):4.3W (Ta), 94W (Tc)
• Betriebstemperatur:-55°C ~ 175°C (TJ)
• Befestigungsart:Surface Mount
• Gerätepaket des Lieferanten:PG-TDSON-8-10
• Paket / Koffer:8-PowerVDFN