Technische Details

• Serie:HEXFET®
• Paket:Bulk
• Teilestatus:Active
• Fußtyp:N-Channel
• Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
• Drain-Source-Spannung (vdss):60 V
• Strom - Dauerstrom (id) @ 25°c:5.8A (Ta), 21A (Tc)
• Antriebsspannung (max rds an, min rds an):10V
• rds on (max) @ id, vgs:36mOhm @ 13A, 10V
• vgs (th) (max) @ id:5V @ 25µA

• Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:11 nC @ 10 V
• vgs (max):±20V
• Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:450 pF @ 25 V
• Fet-Funktion:-
• Verlustleistung (max):2.4W (Ta), 30W (Tc)
• Betriebstemperatur:-55°C ~ 175°C (TJ)
• Befestigungsart:Surface Mount
• Gerätepaket des Lieferanten:DIRECTFET SB
• Paket / Koffer:DirectFET™ Isometric SB