Technische Details

• Serie:HEXFET®
• Paket:Tube
• Teilestatus:Obsolete
• Fußtyp:N and P-Channel
• Fet-Funktion:Logic Level Gate
• Drain-Source-Spannung (vdss):55V
• Strom - Dauerstrom (id) @ 25°c:4.7A, 3.4A
• rds on (max) @ id, vgs:50mOhm @ 4.7A, 10V

• vgs (th) (max) @ id:1V @ 250µA
• Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:36nC @ 10V
• Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:740pF @ 25V
• Leistung max:2W
• Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
• Befestigungsart:Surface Mount
• Paket / Koffer:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
• Gerätepaket des Lieferanten:8-SO