Technische Details

• Serie:HEXFET®
• Paket:Tube
• Teilestatus:Obsolete
• Fußtyp:2 N-Channel (Dual)
• Fet-Funktion:Logic Level Gate
• Drain-Source-Spannung (vdss):30V
• Strom - Dauerstrom (id) @ 25°c:5.3A
• rds on (max) @ id, vgs:50mOhm @ 2.7A, 10V

• vgs (th) (max) @ id:3V @ 100µA
• Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:21nC @ 10V
• Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:515pF @ 25V
• Leistung max:2.4W
• Betriebstemperatur:-55°C ~ 175°C (TJ)
• Befestigungsart:Surface Mount
• Paket / Koffer:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
• Gerätepaket des Lieferanten:8-SO