Technische Details

• Serie:-
• Paket:Bulk
• Teilestatus:Active
• Fußtyp:2 N-Channel (Dual)
• Fet-Funktion:Silicon Carbide (SiC)
• Drain-Source-Spannung (vdss):1200V (1.2kV)
• Strom - Dauerstrom (id) @ 25°c:337A (Tc)
• rds on (max) @ id, vgs:11mOhm @ 180A, 20V

• vgs (th) (max) @ id:3V @ 9mA
• Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:1224nC @ 20V
• Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:23000pF @ 1000V
• Leistung max:-
• Betriebstemperatur:-40°C ~ 175°C (TJ)
• Befestigungsart:Chassis Mount
• Paket / Koffer:Module
• Gerätepaket des Lieferanten:Module