Technische Details

• Serie:-
• Paket:Bulk
• Teilestatus:Active
• Fußtyp:N-Channel
• Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
• Drain-Source-Spannung (vdss):1000 V
• Strom - Dauerstrom (id) @ 25°c:20A (Tc)
• Antriebsspannung (max rds an, min rds an):10V
• rds on (max) @ id, vgs:720mOhm @ 10A, 10V
• vgs (th) (max) @ id:4V @ 2.5mA

• Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:-
• vgs (max):±30V
• Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:6000 pF @ 25 V
• Fet-Funktion:-
• Verlustleistung (max):520W (Tc)
• Betriebstemperatur:-40°C ~ 150°C (TJ)
• Befestigungsart:Chassis Mount
• Gerätepaket des Lieferanten:SP1
• Paket / Koffer:SP1