Technische Details

• Serie:-
• Paket:Bulk
• Teilestatus:Active
• Fußtyp:6 N-Channel (3-Phase Bridge)
• Fet-Funktion:Silicon Carbide (SiC)
• Drain-Source-Spannung (vdss):1200V (1.2kV)
• Strom - Dauerstrom (id) @ 25°c:147A (Tc)
• rds on (max) @ id, vgs:17mOhm @ 100A, 20V

• vgs (th) (max) @ id:2.4V @ 20mA (Typ)
• Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:322nC @ 20V
• Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:5600pF @ 1000V
• Leistung max:625W
• Betriebstemperatur:-40°C ~ 150°C (TJ)
• Befestigungsart:Chassis Mount
• Paket / Koffer:SP6
• Gerätepaket des Lieferanten:SP6-P