Technische Details

• Serie:*
• Paket:Bulk
• Teilestatus:Active
• Fußtyp:2 N-Channel (Dual)
• Fet-Funktion:Silicon Carbide (SiC)
• Drain-Source-Spannung (vdss):1200V (1.2kV)
• Strom - Dauerstrom (id) @ 25°c:73A (Tc)
• rds on (max) @ id, vgs:34mOhm @ 50A, 20V

• vgs (th) (max) @ id:3V @ 12.5mA
• Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:161nC @ 5V
• Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:2788pF @ 1000V
• Leistung max:375W
• Betriebstemperatur:-40°C ~ 150°C (TJ)
• Befestigungsart:Chassis Mount
• Paket / Koffer:Module
• Gerätepaket des Lieferanten:SP3