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Technische Details

  • Serie:-
  • Paket:Bulk
  • Teilestatus:Active
  • Fußtyp:2 N-Channel (Half Bridge)
  • Fet-Funktion:Silicon Carbide (SiC)
  • Drain-Source-Spannung (vdss):1200V (1.2kV)
  • Strom - Dauerstrom (id) @ 25°c:131A (Tc)
  • rds on (max) @ id, vgs:20mOhm @ 100A, 20V

 

  • vgs (th) (max) @ id:2.2V @ 5mA (Typ)
  • Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:246nC @ 20V
  • Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:4750pF @ 1000V
  • Leistung max:625W
  • Betriebstemperatur:-40°C ~ 150°C (TJ)
  • Befestigungsart:Chassis Mount
  • Paket / Koffer:D-3 Module
  • Gerätepaket des Lieferanten:D3

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