Technische Details

• Serie:-
• Paket:Bulk
• Teilestatus:Active
• Fußtyp:2 N-Channel (Half Bridge)
• Fet-Funktion:Silicon Carbide (SiC)
• Drain-Source-Spannung (vdss):1200V (1.2kV)
• Strom - Dauerstrom (id) @ 25°c:250A (Tc)
• rds on (max) @ id, vgs:10mOhm @ 200A, 20V

• vgs (th) (max) @ id:2.2V @ 10mA (Typ)
• Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:490nC @ 20V
• Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:9500pF @ 1000V
• Leistung max:1100W
• Betriebstemperatur:-40°C ~ 150°C (TJ)
• Befestigungsart:Chassis Mount
• Paket / Koffer:D-3 Module
• Gerätepaket des Lieferanten:D3