Technische Details

• Serie:-
• Paket:Bulk
• Teilestatus:Active
• Fußtyp:N-Channel
• Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
• Drain-Source-Spannung (vdss):1200 V
• Strom - Dauerstrom (id) @ 25°c:116A (Tc)
• Antriebsspannung (max rds an, min rds an):10V
• rds on (max) @ id, vgs:120mOhm @ 58A, 10V
• vgs (th) (max) @ id:5V @ 20mA

• Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:1100 nC @ 10 V
• vgs (max):±30V
• Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:28900 pF @ 25 V
• Fet-Funktion:-
• Verlustleistung (max):3290W (Tc)
• Betriebstemperatur:-40°C ~ 150°C (TJ)
• Befestigungsart:Chassis Mount
• Gerätepaket des Lieferanten:SP6
• Paket / Koffer:SP6