- ArtikelnummerAPTM10DHM09T3G
- MarkeMicrosemi
- Lebenszyklusstatus Active
- RoHS RoHS Compliant
- BeschreibungMOSFET 2N-CH 100V 139A SP3
- KategorieTransistoren - Fets, Mosfets - Arrays
Auf Lager: 2.338
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Technische Details
- Serie:POWER MOS V®
- Paket:Bulk
- Teilestatus:Obsolete
- Fußtyp:2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
- Fet-Funktion:Standard
- Drain-Source-Spannung (vdss):100V
- Strom - Dauerstrom (id) @ 25°c:139A
- rds on (max) @ id, vgs:10mOhm @ 69.5A, 10V
- vgs (th) (max) @ id:4V @ 2.5mA
- Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:350nC @ 10V
- Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:9875pF @ 25V
- Leistung max:390W
- Betriebstemperatur:-40°C ~ 150°C (TJ)
- Befestigungsart:Chassis Mount
- Paket / Koffer:SP3
- Gerätepaket des Lieferanten:SP3
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