- ArtikelnummerAPTM100H80FT1G
- MarkeMicrosemi
- Lebenszyklusstatus Active
- RoHS RoHS Compliant
- BeschreibungMOSFET 4N-CH 1000V 11A SP1
- KategorieTransistoren - Fets, Mosfets - Arrays
Auf Lager: 3.459
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Technische Details
- Serie:-
- Paket:Bulk
- Teilestatus:Obsolete
- Fußtyp:4 N-Channel (H-Bridge)
- Fet-Funktion:Standard
- Drain-Source-Spannung (vdss):1000V (1kV)
- Strom - Dauerstrom (id) @ 25°c:11A
- rds on (max) @ id, vgs:960mOhm @ 9A, 10V
- vgs (th) (max) @ id:5V @ 1mA
- Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:150nC @ 10V
- Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:3876pF @ 25V
- Leistung max:208W
- Betriebstemperatur:-40°C ~ 150°C (TJ)
- Befestigungsart:Chassis Mount
- Paket / Koffer:SP1
- Gerätepaket des Lieferanten:SP1
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