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Technische Details

  • Serie:POWER MOS 7®
  • Paket:Bulk
  • Teilestatus:Active
  • Fußtyp:4 N-Channel (H-Bridge)
  • Fet-Funktion:Standard
  • Drain-Source-Spannung (vdss):1000V (1kV)
  • Strom - Dauerstrom (id) @ 25°c:18A
  • rds on (max) @ id, vgs:540mOhm @ 9A, 10V

 

  • vgs (th) (max) @ id:5V @ 2.5mA
  • Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:154nC @ 10V
  • Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:4350pF @ 25V
  • Leistung max:357W
  • Betriebstemperatur:-40°C ~ 150°C (TJ)
  • Befestigungsart:Chassis Mount
  • Paket / Koffer:SP4
  • Gerätepaket des Lieferanten:SP4

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