Technische Details

• Serie:-
• Paket:Bulk
• Teilestatus:Obsolete
• Fußtyp:2 N-Channel (Half Bridge)
• Fet-Funktion:Silicon Carbide (SiC)
• Drain-Source-Spannung (vdss):1000V (1kV)
• Strom - Dauerstrom (id) @ 25°c:36A
• rds on (max) @ id, vgs:270mOhm @ 18A, 10V

• vgs (th) (max) @ id:5V @ 5mA
• Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:308nC @ 10V
• Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:8700pF @ 25V
• Leistung max:694W
• Betriebstemperatur:-40°C ~ 150°C (TJ)
• Befestigungsart:Chassis Mount
• Paket / Koffer:SP4
• Gerätepaket des Lieferanten:SP4