Technische Details

• Serie:POWER MOS V®
• Paket:Tube
• Teilestatus:Obsolete
• Fußtyp:N-Channel
• Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
• Drain-Source-Spannung (vdss):200 V
• Strom - Dauerstrom (id) @ 25°c:100A (Tc)
• Antriebsspannung (max rds an, min rds an):10V
• rds on (max) @ id, vgs:22mOhm @ 500mA, 10V
• vgs (th) (max) @ id:4V @ 2.5mA

• Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:435 nC @ 10 V
• vgs (max):±30V
• Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:10200 pF @ 25 V
• Fet-Funktion:-
• Verlustleistung (max):520W (Tc)
• Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
• Befestigungsart:Through Hole
• Gerätepaket des Lieferanten:T-MAX™ [B2]
• Paket / Koffer:TO-247-3 Variant