Technische Details

• Serie:POWER MOS IV®
• Paket:Tube
• Teilestatus:Obsolete
• Fußtyp:N-Channel
• Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
• Drain-Source-Spannung (vdss):1000 V
• Strom - Dauerstrom (id) @ 25°c:10.5A (Tc)
• Antriebsspannung (max rds an, min rds an):10V
• rds on (max) @ id, vgs:1.1Ohm @ 5.25A, 10V
• vgs (th) (max) @ id:4V @ 1mA

• Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:130 nC @ 10 V
• vgs (max):±30V
• Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:2950 pF @ 25 V
• Fet-Funktion:-
• Verlustleistung (max):310W (Tc)
• Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
• Befestigungsart:Through Hole
• Gerätepaket des Lieferanten:TO-247AD
• Paket / Koffer:TO-247-3