Technische Details

• Serie:aMOS™
• Paket:Tube
• Teilestatus:Not For New Designs
• Fußtyp:N-Channel
• Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
• Drain-Source-Spannung (vdss):650 V
• Strom - Dauerstrom (id) @ 25°c:15A (Tc)
• Antriebsspannung (max rds an, min rds an):10V
• rds on (max) @ id, vgs:290mOhm @ 7.5A, 10V
• vgs (th) (max) @ id:4V @ 250µA

• Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:17.2 nC @ 10 V
• vgs (max):±30V
• Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:841 pF @ 100 V
• Fet-Funktion:-
• Verlustleistung (max):28W (Tc)
• Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
• Befestigungsart:Through Hole
• Gerätepaket des Lieferanten:-
• Paket / Koffer:TO-262-3 Full Pack, I²Pak