Technische Details

• Serie:-
• Paket:Bulk
• Teilestatus:Obsolete
• Fußtyp:P-Channel
• Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
• Drain-Source-Spannung (vdss):30 V
• Strom - Dauerstrom (id) @ 25°c:11A (Ta), 29A (Tc)
• Antriebsspannung (max rds an, min rds an):5V, 10V
• rds on (max) @ id, vgs:18mOhm @ 8A, 10V
• vgs (th) (max) @ id:3V @ 250µA

• Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:24 nC @ 15 V
• vgs (max):±25V
• Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:1400 pF @ 15 V
• Fet-Funktion:-
• Verlustleistung (max):4.1W (Ta), 25W (Tc)
• Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
• Befestigungsart:Surface Mount
• Gerätepaket des Lieferanten:8-DFN (3x3)
• Paket / Koffer:8-PowerVDFN