Technische Details

• Serie:AlphaMOS
• Paket:Tape & Reel (TR)
• Teilestatus:Active
• Fußtyp:N-Channel
• Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
• Drain-Source-Spannung (vdss):30 V
• Strom - Dauerstrom (id) @ 25°c:27A (Ta), 32A (Tc)
• Antriebsspannung (max rds an, min rds an):4.5V, 10V
• rds on (max) @ id, vgs:3.6mOhm @ 20A, 10V
• vgs (th) (max) @ id:2.4V @ 250µA

• Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:40 nC @ 10 V
• vgs (max):±20V
• Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:1975 pF @ 15 V
• Fet-Funktion:Schottky Diode (Body)
• Verlustleistung (max):4.1W (Ta), 41W (Tc)
• Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
• Befestigungsart:Surface Mount
• Gerätepaket des Lieferanten:8-DFN (5x6)
• Paket / Koffer:8-VDFN Exposed Pad