Technische Details

• Serie:-
• Paket:Bulk
• Teilestatus:Obsolete
• Fußtyp:P-Channel
• Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
• Drain-Source-Spannung (vdss):20 V
• Strom - Dauerstrom (id) @ 25°c:47A (Ta), 85A (Tc)
• Antriebsspannung (max rds an, min rds an):2.5V, 10V
• rds on (max) @ id, vgs:2.1mOhm @ 20A, 10V
• vgs (th) (max) @ id:1.3V @ 250µA

• Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:330 nC @ 10 V
• vgs (max):±12V
• Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:10290 pF @ 10 V
• Fet-Funktion:-
• Verlustleistung (max):7.3W (Ta), 156W (Tc)
• Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
• Befestigungsart:Surface Mount
• Gerätepaket des Lieferanten:8-DFN (5x6)
• Paket / Koffer:8-PowerSMD, Flat Leads