Technische Details

• Serie:-
• Paket:Bag
• Teilestatus:Obsolete
• Fußtyp:N-Channel
• Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
• Drain-Source-Spannung (vdss):75 V
• Strom - Dauerstrom (id) @ 25°c:100A (Ta)
• Antriebsspannung (max rds an, min rds an):4V, 10V
• rds on (max) @ id, vgs:6mOhm @ 50A, 10V
• vgs (th) (max) @ id:-

• Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:220 nC @ 10 V
• vgs (max):±20V
• Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:12200 pF @ 20 V
• Fet-Funktion:-
• Verlustleistung (max):1.65W (Ta), 90W (Tc)
• Betriebstemperatur:150°C (TJ)
• Befestigungsart:Through Hole
• Gerätepaket des Lieferanten:SMP
• Paket / Koffer:TO-220-3, Short Tab