- Artikelnummer2SK3564(STA4,Q,M)
- MarkeToshiba Electronic Devices and Storage Corporation
- Lebenszyklusstatus Active
- RoHS RoHS Compliant
- BeschreibungMOSFET N-CH 900V 3A TO220SIS
- KategorieTransistoren - Fets, Mosfets - Single
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Preisgestaltung:
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- 100$1.23631
- 500$0.96154
- 1.000$0.7967
- 2.500$0.76922
Technische Details
- Serie:π-MOSIV
- Paket:Tube
- Teilestatus:Active
- Fußtyp:N-Channel
- Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
- Drain-Source-Spannung (vdss):900 V
- Strom - Dauerstrom (id) @ 25°c:3A (Ta)
- Antriebsspannung (max rds an, min rds an):10V
- rds on (max) @ id, vgs:4.3Ohm @ 1.5A, 10V
- vgs (th) (max) @ id:4V @ 1mA
- Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:17 nC @ 10 V
- vgs (max):±30V
- Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:700 pF @ 25 V
- Fet-Funktion:-
- Verlustleistung (max):40W (Tc)
- Betriebstemperatur:150°C (TJ)
- Befestigungsart:Through Hole
- Gerätepaket des Lieferanten:TO-220SIS
- Paket / Koffer:TO-220-3 Full Pack
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