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Technische Details

  • Serie:-
  • Paket:Strip
  • Teilestatus:Obsolete
  • Transistortyp:NPN
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):12V
  • Frequenz - Übergang:7GHz
  • Rauschzahl (db typ @ f):1.1dB @ 1GHz
  • dazugewinnen:13dB

 

  • Leistung max:200mW
  • Gleichstromverstärkung (hfe) (min) @ ic, vce:50 @ 20mA, 10V
  • Strom - Kollektor (ic) (max):100mA
  • Betriebstemperatur:150°C (TJ)
  • Befestigungsart:Surface Mount
  • Paket / Koffer:TO-253-4, TO-253AA
  • Gerätepaket des Lieferanten:-

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